BSD316SN L6327 datasheet
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BSD316SN L6327
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-363 datasheet 分离式半导体产品
型号:
BSD316SN L6327
库存数量:
5,730
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-363
RoHS:
无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
BSD316SN L6327 PDF下载
产品变化通告
Product Discontinuation 30/Nov/2011
产品目录绘图
Mosfet SOT-363 Dual
标准包装
1
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
1.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
160 毫欧 @ 1.4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2V @ 3.7µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
0.6nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
94pF @ 15V
功率 - 最大
500mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装
PG-SOT363-6
包装
剪切带 (CT)
其它名称
BSD316SN L6327INCT
相关资料
属性
链接
代理商
BSD316SN L6327
BSD316SNL6327
BSD816SN
BSD816SN L6327
BSD816SNH6327XTSA1
BSD816SNL6327
供应商
公司名
电话
深圳市新良宇电子有限公司
0755-83237632
李先生
深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697
雷春艳
深圳市华芯盛世科技有限公司
0755-83225692
唐先生
北京京北通宇电子元件有限公司
18724450645
王
深圳市深科创科技有限公司
0755-83247290
吴先生/吴小姐/朱先生
深圳国芯威科技有限公司
0755-29676185
国芯威-美滋滋
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测试
BSD316SN L6327 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
1
0.744
0.744
10
0.534
5.34
25
0.42192
10.548
100
0.3204
32.04
250
0.226944
56.736
500
0.18156
90.78
1,000
0.13884
138.84
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